در این مقاله، معادله شرودینگر غیرخطی ظاهر شده در برخی از سیستم های بس ذره ای مانند نانوسیم باردار با لایه مولکولی قطبیده نرم، چاه کوانتومی در حضور برهم کنش الکترون-الکترون، معادله گراس-پیتا افسکی برای چگالیده بوز-اینشتین در حضور برهم کنش های دوجسمی و سه جسمی را بررسی کرده ایم. محاسبه انرژی حالت پایه این معادله ها از اهمیت فراوانی برخوردار است و بدست آوردن آن با روش های تحلیلی، بسیار پیچیده است. همچنین درصورت حل با روشهای عددی نظیر روش خودسازگار، به برنامه نویسی دشواری نیاز دارد. در این مقاله، انرژی حالت پایه به کمک روش حساب تغییرات اویلر لاگرانژ و استفاده از حدس های ساده و مناسب محاسبه شده است. مقایسه نتایج حاصل از ترکیب روش حساب تغییرات و حدس با روش های موجود در مقالات اخیر، نشان دهنده دقت بالای این روش می باشد.

با رشد و توسعه فزاینده علم و فناور ی نانو، کاربرد نانو سنسورها، سیستم های نانو الکترومکانیکی، سیستم های نانوالکترونیکی و وسایل نانو فتونیکی رو به افزایش است. نانوسیم ها به عنوان یکی از اجزاء کلیدی این سیستم ها نقش قابل توجهی در عملکرد درست آنها دارند. بنابراین شناخت رفتار مکانیکی-حرارتی نانوسیم ها از اهمیت ویژه ای برخوردار است. با توجه به مشکلات اجتناب ناپذیر در انجام آزمایش های تجربی بر روی نانو سیم ها، از جمله نیاز به تجهیزات بسیار دقیق و پیشرفته و همچنین هزینه و زمان زیاد مورد نیاز برای انجام این آزمایش ها، تعدادی از پژوهشگران به مدل سازی و شبیه سازی رفتار نانو سیم ها پرداخته اند. شبیه سازی دینامیک مولکولی یکی از بهترین روش های شناخت خواص نانو سیم ها می باشد که در اغلب شبیه سازی های نانو مقیاس از این روش استفاده می شود. با استفاده از روش های شبیه سازی و مدل سازی می توان خواص نانو سیم ها را با صرف هزینه اندک و زمان بسیار کوتاهی، در مقایسه با روش های تجربی، به انجام رساند. در این مقاله، با هدف شناخت رفتار مکانیکی-حرارتی نانوسیم طلا، تاثیر دما ( 300، 450، 600 و 700 درجه کلوین) و نرخ کرنش (1/s 108 2، 1/s 109 2 و 1/s 1010 2) بر خواص مکانیکی نانوسیم از جمله منحنی تنش-کرنش، تنش تسلیم، تنش در لحظه شکست و میزان ازدیاد طول نانوسیم با قطر و طول به ترتیب 3 و 6 نانومتر به روش دینامیک مولکولی با استفاده از روش اتم جایگزین شده (پتانسیل EAM ) بررسی شده است.

متن کامل این مقاله به زبان انگلیسی می باشد، لطفا برای مشاهده متن کامل مقاله به بخش انگلیسی مراجعه فرمایید.لطفا برای مشاهده متن کامل این مقاله اینجا را کلیک کنید.

در این تحقیق، نانوسیم های بس لایه مس/ پالادیم با استفاده از روش رسوب دهی الکتروشیمیایی درون قالب پلی کربنات رشد داده شدند. رشد نانوسیم ها در هنگام رسوب با پتانسیل ثابت با استفاده از نمودار جریان- زمان مورد بررسی قرار گرفت. خواص ریخت شناختی نانوسیم ها توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) مورد مطالعه قرار گرفت و نتایج نشان داد که تقریبا طول تمام نانوسیم ها برابر بوده و حدود 4 میکرومتر می باشد و قطر آنها 90 نانومتر می باشد. الگوی پراش پرتو ایکس (XRD) نشان داد که پالادیم و مس با ساختار شبکه ای FCC خود رشد می کنند. همچنین ترکیبات شیمیایی آنها توسط انرژی پراکنده کننده پرتو ایکس (EDX) تعیین شد.

نانوساختارهای تلوریوم به دلیل خواص جالبی همچون حسگری گاز، نوررسانایی، پاسخ نوری غیرخطی و پاسخ های بزرگ ترموالکتریک یا پیزوالکتریک توجه زیادی را به خود جلب کرده است. نانوسیم های کریستالی تلوریومی با موفقیت در فشارهای 0. 1، 0. 01 و 0. 001 میلی بار به وسیله ساخت لایه نازک و روش ساده تبخیر پودر تلوریوم و چگالش بخار آن بر روی زیرلایه شیشه ای در دماهای مختلف در یک کوره لوله ای سنتز شدند. مورفولوژی و اندازه محصولات با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FESEM) مورد بررسی قرار گرفت. نانوسیم های سنتز شده دارای قطرهایی بین 46 تا 100 نانومتر و طول هایی تا چند میکرومتر هستند. پراش سنجی اشعه ایکس (XRD) برای مشخصه یابی ساختار کریستالی محصولات انجام شد. قله های نقشه پراش با فرض ساختار کریستالی شش وجهی تلوریم با موفقیت ایندکس شدند. متن کامل این مقاله به زبان انگلیسی می باشد. لطفا برای مشاهده متن کامل مقاله به بخش انگلیسی مراجعه فرمایید.لطفا برای مشاهده متن کامل این مقاله اینجا را کلیک کنید.

در این کار نانوسیم های چند لایه CoFe/Cu بوسیله روش الکتروشیمیایی در داخل قالب های اکسید آلومینیومی تهیه شده با فرایند آندایزنرم نشست پیدا کردند. با این روش نانوسیم هایی با قطر 30 نانومتر و طول مشخص حاصل شدند. تاثیر ضخامت لایه های CoFe و دمای آنلینگ بر روی خواص مغناطیسی نانوسیم های چندلایه بررسی شد. افزایش ضخامت لایه CoFe باعث افزایش کورسیویتی (Hc) و حالت مربعی نمودار CoFe/Cu شد و آنیلینگ باعث بهبود Hc و کاهش حالت مربعی می شود.

میکروسکوپ تونل زنی روبشی به عنوان اولین عضو از خانواده میکروسکوپی پروبی روبشی، به دلیل ابعاد بسیار کوچک سوزن، می تواند کوچکترین پستی و بلندی موجود در سطح را (در حد نانومتر) حس کند. با توسعه روش های شناسایی نانوساختارها، همواره یکی از اهداف اصلی افزایش توان تفکیک این میکروسکوپ برای بررسی ساختارهای کوچک تر و همچنین شناسایی نانوساختارهای مغناطیسی بوده است. به این منظور، در سال های اخیر میکروسکوپ تونل زنی روبشی اسپین قطبیده به ابزاری قدرتمند برای بررسی ساختارهای مغناطیسی در مقیاس نانومتر تبدیل شده است. میکروسکوپ تونل زنی روبشی اسپین قطبیده به تکمیل مطالعات مغناطیسی در مقیاس نانومتر کمک می کند.